The Science Of Phase Change Random Access Memories (Pcram), Fachbücher

Das Buch "The Science Of Phase Change Random Access Memories (Pcram)" bietet eine umfassende Analyse der Phase Change Random Access Memory (PCM) Technologie, die als vielversprechender Kandidat für die nächste Generation nichtflüchtiger Speicher gilt. Es behandelt die grundlegenden Prinzipien der Phasenänderung, die für die schnelle und effiziente Speicherung von Daten entscheidend sind. Der Autor untersucht die elektrischen und optischen Eigenschaften verschiedener Zinn-Selenid-Verbundlegierungen und erläutert, wie diese Materialien durch gezielte Temperaturänderungen zwischen amorphen und kristallinen Zuständen wechseln. Die Ergebnisse zeigen, dass die untersuchten Legierungen bei Raumtemperatur eine hohe Flächenresistenz aufweisen, die sich während der Wärmebehandlung verringert. Diese Erkenntnisse sind von Bedeutung für die Entwicklung von Speichertechnologien mit optimierten Leistungsmerkmalen und geringeren Herstellungskosten.