Study of AlN/GaN HEMTs, Fachbücher von Yu Cao
68,00 €
Das Buch "Study of AlN/GaN HEMTs" von Yu Cao bietet eine umfassende Untersuchung der AlN/GaN HEMTs, die aufgrund der hohen Polarisationdifferenz zwischen AlN und GaN für Hochfrequenzanwendungen von entscheidender Bedeutung sind. Es behandelt die molekularstrahlepitaktische (MBE) Wachstumsstudie dieser Heterostrukturen sowie die theoretische Analyse der Mechanismen der zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) Streuung. Ein zentrales Thema ist die Reduzierung von Pufferleckströmen und Kontaktwiderständen durch gezielte Ingenieurmassnahmen, die zu einer signifikanten Verbesserung der Geräteleistung führen. Das Buch dokumentiert die Erreichung einer rekordhohen 2DEG-Dichte und einer rekordniedrigen Blattwiderstand, was für die Entwicklung leistungsstarker Hochgeschwindigkeitsgeräte von Bedeutung ist. Zudem wird ein neuartiger Streumechanismus vorgestellt, der zur Vertiefung des Verständnisses der elektronischen Eigenschaften dieser Materialien beiträgt.
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