MIS Heterojunction Devices, Fachbücher von Ibrahim R. Agool, Marwa Abdul Muhsien Hassan, Evan Tarq Salem
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Produktdetails
Das Buch "MIS Heterojunction Devices" bietet eine umfassende Untersuchung der Herstellung und Analyse von transparenten leitfähigen SnO2-Dünnfilmen, die durch die post-oxidation von vakuumverdampftem Zinn auf Quarz- und Siliziumsubstraten erzeugt werden. Die Autoren präsentieren die Ergebnisse ihrer Forschung zur schnellen thermischen Oxidation (RTO), die in nur 90 Sekunden durchgeführt wird. Die Arbeit beleuchtet die optimalen Wachstumsbedingungen, einschliesslich Oxidationstemperatur und -zeit, und untersucht die optischen, elektrischen und strukturellen Eigenschaften der SnO2-Filme. Die Ergebnisse zeigen, dass die Filme eine hohe Lichtdurchlässigkeit von 95 % aufweisen und n-Typ-Eigenschaften besitzen, was sie für die Herstellung von MIS-Geräten geeignet macht. Diese detaillierte Analyse ist für Fachleute und Studierende im Bereich der Materialwissenschaften und Halbleitertechnologie von grossem Interesse.
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Marke:Lap Lambert Academic