Compact Modelling of DGMOSFET's, Ratgeber von Neha Agarwal

Das Buch "Compact Modelling of DGMOSFET's" bietet eine umfassende Analyse und Modellierung von Double Gate MOSFETs, die in der Transistortechnologie für Grössen unter 50 nm weit verbreitet sind. Es behandelt die Herausforderungen, die mit der Reduzierung der Transistorgrösse einhergehen, insbesondere die Schwierigkeiten bei der Steuerung des Stromflusses durch die Nähe von Source und Drain. Durch die Erhöhung der Kopplung zwischen Gate und Kanal wird die Kontrolle über die elektrischen Eigenschaften verbessert. Die Autoren präsentieren eine detaillierte Herangehensweise an die kompakte Modellierung sowohl von ungedopten als auch von gedopten symmetrischen DGMOSFETs. Die Formulierung beginnt mit der Lösung der Poisson-Gleichung und wird mit der Pao-Sah-Stromgleichung kombiniert, um ein analytisches Modell für den Drainstrom in Abhängigkeit von der Trägerkonzentration zu entwickeln. Das Buch bietet auch einen Vergleich der elektrischen Eigenschaften beider DGMOS-Typen und analysiert deren Leistung.