An Improved Mosfet I-V Model and its Application in Nano-Cmos Circuits, Fachbücher von Jagannath Samanta, Asish Kumar Si...

Das Buch "An Improved Mosfet I-V Model and its Application in Nano-Cmos Circuits" bietet eine umfassende Analyse eines kompakten MOSFET I-V Modells, das speziell für die Schätzung des Drainstroms von Sub-90nm MOSFETs in den linearen und Sättigungsbereichen entwickelt wurde. Es stellt eine Modifikation des nth-Power-Gesetzmodells dar, das von Sakurai und Newton eingeführt wurde. Durch die Einführung neuer Parameter ermöglicht das Modell eine verbesserte Charakterisierung des Drainstroms bei niedrigeren Gate- und Drain-Spannungen. Die Genauigkeit des Modells wird durch den Vergleich mit bestehenden Modellen wie dem Modified Sakurai-Newton (MSN) und dem Extended-Sakurai-Newton (ESN) Compact MOSFET Modell unterstrichen. Die Ergebnisse zeigen, dass das vorgeschlagene Modell eine präzisere Schätzung des Drainstroms und der Verzögerung eines CMOS-Inverters liefert, was es zu einem wertvollen Werkzeug für Fachleute im Bereich der Nano-CMOS-Technologie macht.