High Mobility and Quantum Well Transistors, Fachbücher von Kristin De Meyer, Geert Hellings

Das Fachbuch "High Mobility and Quantum Well Transistors" bietet eine umfassende Untersuchung der neuesten Entwicklungen in der Transistortechnologie, insbesondere im Hinblick auf die Verwendung von Hochmobilitätsmaterialien wie Germanium und III-V-Materialien. In den ersten Kapiteln wird die Technologie der planar bulk Germanium pFETs behandelt, wobei sowohl die Herstellung als auch die Prozess- und elektrische TCAD-Simulation im Fokus stehen. Das Buch hebt hervor, wie Quantum Well-basierte Transistoren die Vorteile dieser alternativen Materialien nutzen können, indem sie die Ladungsträger in das Hochmobilitätsmaterial mittels einer Heterostruktur einsperren. Ein besonderes Augenmerk liegt auf der Konstruktion und Herstellung des SiGe Implant-Free Quantum Well pFET, dessen elektrische Tests eine bemerkenswerte Leistung bei kurzen Kanälen zeigen. Diese Prototypen sind mit der modernen planar strained-silicon Technologie wettbewerbsfähig und bieten vielversprechende Perspektiven für zukünftige Technologiegenerationen.