IRF 3710S - MOSFET, N-Ch 100V 57A 0,023R, D2-PAK

Die fortschrittlichen HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauteil für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das für Chipgrößen Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den niedrigsten On-Widerstand in jedem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D2Pak ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann bis zu 2,0 W in einer typischen Oberflächenmontageanwendung ableiten. Die Durchgangslochversion (IRF3710L) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• volle Avalanche-Bewertung• bleifrei