IRF 630N - MOSFET, N-Ch 200V 9,3A 0,3R, TO-220AB

HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand bei allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet, da es einen niedrigen internen Verbindungswiderstand und kann bis zu 2,0W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung. Die Durchgangslochversion (IRF630NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• dynamische dv/dt Bewertung• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-geeignet• schnelles Schalten• einfache Parallelisierung• bleifrei