MASTERGAN3 - GaN H-Brücke, 600 V, 6,5/4 A, 0,225/0,45 Ohm ,QFN-31

Der MASTERGAN3 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei Enhancement-Mode-GaN-Transistoren in asymmetrischer Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V und einen RDS(ON) von 225 mOhm bzw. 450 mOhm für die Low- bzw. High-Seite, wobei die High-Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann, wobei die High-Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann.Der MASTERGAN3 verfügt über einen UVLO-Schutz sowohl für den unteren als auch für den oberen Treiberbereich, der verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen betrieben werden, und die Verriegelungsfunktion verhindert Querschlüsse.Technische MerkmaleQFN 9 x 9 x 1 mm packageRDS(ON) = 225 mOhm (LS) + 450 mOhm (HS)IDS(MAX) = 6.5 A (LS) + 4 A (HS)Der erweiterte Bereich der Eingangspins ermöglicht eine einfache Anbindung an Mikrocontroller, DSP-Einheiten oder Hall-Effekt-Sensoren.Der MASTERGAN3 arbeitet im industriellen Temperaturbereich von -40°C bis 125°C.Der Baustein ist in einem kompakten 9x9 mm QFN-Gehäuse erhältlich. Besondere MerkmaleAsymmetrische HalbbrückeRückwärtsstromfähigkeitNull RückspeiseverlustUVLO-Schutz auf Low-Side und High-SideInterne Bootstrap-DiodeInterlocking-FunktionDedizierter Pin für Shutdown-FunktionalitätPräzise interne Zeitanpassung3,3 V bis 15 V kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-downSchutz vor ÜbertemperaturenReduzierte BOMSehr kompaktes und vereinfachtes LayoutFlexibles, einfaches und schnelles DesignAplikationenSchaltnetzteileLadegeräte und AdapterHochspannungs-PFC-, DC-DC- und DC-AC-WandlerUPS-SystemeSolarstrom