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PMV 32UP NXP - MOSFET, P-Ch, -20V -4A 0,032R, SOT-23

0,28 €

BeschreibungP-Kanal Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET Technologie.Eigenschaften und Vorteile• 1,8 V Drain-Source-Durchlasswiderstand• sehr schnelles Schalten• Trench-MOSFET-TechnologieAnwendungen• Relaistreiber• Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber• High-Side-Lastschalter• Schaltkreise

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Hersteller:NXP