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FDN 335N - MOSFET, N-Ch 20V 1,7A 0,07R, SOT-23

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BeschreibungDieser spezifizierte n-Kanal-MOSFET mit 2,5 V wird mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess von Fairchild Semiconductor hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten.Eigenschaften• 1,7 A, 20 V - RDS(ON) = 0,07 O @ VGS = 4,5 V - RDS(ON) = 0,100 O @ VGS = 2,5 V• niedrige Gate-Ladung (3,5nC typisch)• hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON)• hohe Leistung und StrombelastbarkeitAnwendungen• DC/DC-Wandler• Lastschalter

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