DN2530N3-G - MOSFET, N-Ch 300V 0,175A 12Ohm , TO-92

N-Kanal, Verarmungs-Modus, vertikaler DMOS-FETBeschreibungBei dem DN2530 handelt es sich um einen niedrigschwelligen Transistor im Verarmungsmodus mit normaler Einschaltdauer, der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination entsteht ein Bauelement mit den Leistungsbelastbarkeiten von Bipolartransistoren sowie der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die den Metall-Oxid-Halbleiter-Bauelementen (MOS) eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Ausreißen und thermisch induziertem sekundärem Durchschlag ist. Vertikale DMOS-Feldeffekttransistoren (FETs) eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Merkmale• Hohe Eingangsimpedanz• Niedrige Eingangskapazität• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten• Niedriger On-Widerstand• Frei von sekundärer Aufschlüsselung• Geringe Eingangs- und AusgangsleckageAnwendungen• Normalerweise eingeschaltete Schalter• Festkörper-Relais• Konverter• Lineare Verstärker• Konstantstromquellen• Stromversorgungsschaltungen• Telekommunikation