FDN 357N - MOSFET, N-Ch 30V 1,9A 0,06R, SOT-23

BeschreibungSuperSOTTM-3 N-Kanal Logikpegel-Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistoren werden mit Fairchilds proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser sehr Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des On-State-Widerstand zu minimieren. Diese Bauelemente sind besonders geeignet für Niederspannungsanwendungen in Notebooks, tragbaren Telefonen Telefonen, PCMCIA-Karten und anderen batteriebetriebenen Schaltungen wo schnelles Schalten und eine geringe Inline-Verlustleistung in einem in einem sehr kleinen, oberflächenmontierbaren Gehäuse benötigt werden.Eigenschaften• 1.9 A, 30 V - RDS(ON) = 0,090 W @ VGS = 4,5 V - RDS(ON) = 0,060 W @ VGS = 10 V• Industriestandard SOT-23-Gehäuse für Oberflächenmontage mit proprietärem SuperSOTTM-3-Design für hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften• Zellendesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen RDS(ON)• Außergewöhnlicher Einschaltwiderstand und maximale DC-Strom fähigkeit