FDS8858CZ ONS - MOSFET, N+P-Ch, 30/-30V 8,6/-7,3A 2,0W, SO-8
1,00 âŹ
Leistungs-MOSFETDual N & P-Kanal PowerTrenchDiese dual N- und P-Kanal-MOSFETs sind mit dem fortschrittlichem PowerTrench-Prozess von onsemi hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung fĂŒr eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente wurden entwickelt, um eine auĂergewöhnliche Verlustleistung bei sehr kleinem Platzbedarf zu bieten fĂŒr Anwendungen, bei denen die gröĂeren und teurere SO-8- und TSSOP-8-GehĂ€use unpraktisch sind.MerkmaleSchnelle SchaltgeschwindigkeitHohe Leistung und HandlingsfĂ€higkeit in einem weit verbreiteten GehĂ€use fĂŒr die OberflĂ€chenmontageAnwendungenWechselrichterSynchroner Buck
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