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STGD6NC60HD - IGBT-Transistor, 600 V, 7 A, 56 W, TO-252

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- Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat))- Niedriges CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsempfindlichkeit)- Sehr weiche antiparallele Diode mit schneller Erholung- HochfrequenzbetriebDieser Baustein ist ein sehr schneller IGBT, der mit der fortschrittlichen PowerMESH™Technologie entwickelt wurde. Dieser Prozess garantiert einen hervorragenden Kompromiss zwischen SchaltleistungSchaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten. Dieses Bauelement ist gut geeignet für resonante oderSoft-Switching-Anwendungen.MarkingGD6NC60HD

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