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STGD3NB60SD - IGBT-Transistor, 600 V, 3 A, 48 W, TO-252

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Unter Verwendung der neuesten Hochspannungstechnologie auf Basis eines einem patentierten Streifenlayout hat STMicroelectronics eine eine fortschrittliche Familie von IGBTs, die PowerMESH™-IGBTs, mit hervorragenden Leistungen. Das Suffix ''S'' kennzeichnet eine FamilieFamilie, die für einen minimalen Einschalt-Spannungsabfall bei Niederfrequenzanwendungen (<1kHz) zu erreichen.Wesentliche Merkmalehohe Eingangsimpedanz (Spannungsgetrieben)sehr niedriger Einschaltspannungsabfall (Vcesat)hohe Strombelastbarkeitintegrierte Freilaufdiode

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Hersteller:STMICROELECTRONICS