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BDX 53BG ONS - Darlington-Transistor, NPN, 80V, 8A, 65W, TO-220AB

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Komplementäre Siliziumtransistoren aus Kunststoff für mittlere LeistungenDiese Bauelemente sind für universelle Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit konzipiert.Eigenschaften• hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (Typ) @ - IC = 4,0 Adc• Kollektor-Emitter-Haltespannung - @ 100 mAdc - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - BDX53B, 54B - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 2,0 Vdc (Max) @ IC = 3,0 Adc - VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc• Monolithischer Aufbau mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen• Pb-Free-Gehäuse sind verfügbar

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