INFINEON IGBT IGW40N65F5
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Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Igbt Bauform: To-247 max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 74 A max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 120 A Power Dissipation (Ptot): 255 W min. Gate Thereshold Voltage (Uge th): 3,2 V Turn On Delay Time (td on): 19 ns Turn Off Delay Time (td off): 160 ns Hersteller: Infineon Herstellerartikelnummer: Igw40N65F5 Datenblatt: http://www.infineon.com/
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