PNY Arbeitsspeicher (RAM Speicher PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4)
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Produktdetails
Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronik beschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19. Technologie: DDR4 Spannung: 1.2 V 1,2 V Art: Speicher (RAM) Latenzzeit: CL19 Anschlüsse: DIMM RAM Speicher: 4 GB RAM Geschwindigkeit: 2666 MHz Kapazität: 40 g 4 GB Speicher Typ: DDR4 Kompatibel: PC/Server PNY Performance. Component for: PC / Server, Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19 Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB Interner Speichertyp: DDR4 Speichertaktfrequenz: 2666 MHz Component for: PC / Server CAS Latenz: 19 Speicherkanäle: Single-channel Speicherspannung: 1.2 V Verpackungsart: Sichtverpackung TSMP: 20250807043417
Informationen
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Marke:PNY