Fabrication of SiGe nanostructures for infrared devices, Fachbücher von Dietmar Pachinger

Das Buch "Fabrication of SiGe Nanostructures for Infrared Devices" bietet eine umfassende Untersuchung der MBE-Wachstumsbedingungen für den Stranski-Krastanov-Wachstumsmodus von unter Spannung stehendem Silizium auf Germanium-Substraten. Es beleuchtet die Selbstorganisation von Siliziuminseln, die eine wichtige Rolle bei der Manipulation von Leitungselektronenspin und Photolumineszenz im Infrarotbereich spielen. Die Arbeit behandelt die Herausforderungen und Lösungen im Zusammenhang mit der Dicke der Benetzungs- und Wachstumsbedingungen, einschliesslich der Verwendung von Surfactants und vorstrukturierten Germanium-Substraten, um die Nucleation zu optimieren. Die Ergebnisse zeigen, dass die Herstellung von modulationsgedoptem Siliziumkanal auf SiGe-Pseudounterlagen zu einer bemerkenswert hohen Elektronenmobilität führt, was neue Möglichkeiten in der Infrarot-Optoinformationstechnologie eröffnet.