Analysis and Design of a DRAM Cell for Low Leakage, Fachbücher von Arun Kumar, Rashmi Singh

Das Buch "Analysis and Design of a DRAM Cell for Low Leakage" bietet eine umfassende Untersuchung der Herausforderungen im Zusammenhang mit Leckströmen in dynamischen Random Access Memories (DRAM). Angesichts der fortschreitenden Miniaturisierung der DRAM-Zellen ist die Reduzierung des Leckstroms von entscheidender Bedeutung, um die gewünschte Datenspeicherzeit aufrechtzuerhalten. Die Autoren, Rashmi Singh und Arun Kumar, analysieren die Struktur von Trench-Kondensator-DRAM-Zellen und verwenden 0,18 µm submikron nMOSFETs als Zugangstransistoren. Das Buch behandelt verschiedene DRAM-Zellstrukturen, die Mechanismen des Leckstroms und prozessbezogene Techniken zur Reduzierung von Leckströmen. Durch die Verwendung von ATHENA/ATLAS-Paketen von SILVACO werden sowohl Prozess- als auch Gerätesimulationen durchgeführt. Dieses Fachbuch richtet sich an Einsteiger und bietet eine wertvolle Übersicht über frühere Forschungsarbeiten sowie aktuelle Trends im Design von DRAM-Zellen und vermittelt theoretisches Wissen über Leckstrommechanismen.