Defect engineering in H and He implanted Silicon, Fachbücher von Shay Reboh

Das Fachbuch "Defect Engineering in H and He Implanted Silicon" von Shay Reboh bietet eine umfassende Untersuchung der Auswirkungen von Wasserstoff- und Heliumimplantationen in Silizium. Durch den Einsatz fortschrittlicher Techniken wie Elektronenmikroskopie, optische Mikroskopie, Rasterkraftmikroskopie und Röntgendiffraktion werden die makroskopischen Mechanismen von Oberflächenblisterung und Exfoliation analysiert. Die Studie beleuchtet die Zusammenhänge zwischen Implantationsparametern, Wärmebehandlungsprotokollen und den resultierenden Mikrostrukturevolutionen. Insbesondere wird die instabile Fraktur als neuartige Methode zur Synthese selbsttragender Silizium-Dünnfilme durch Oberflächendelaminierung hervorgehoben. Darüber hinaus werden einzigartige nanoskopsiche Phänomene untersucht, die durch die Wechselwirkungen von Nanorissen und die elastische Interaktion zwischen Ausfällungen entstehen. Diese Erkenntnisse legen den Grundstein für zukünftige Entwicklungen in der Architektur von Nanostrukturen innerhalb einer kristallinen Matrix und zeigen, wie Spannungsengineering eine kostengünstige Möglichkeit bietet, Ausfällungen im nanometrischen Massstab zu manipulieren.