Tunnel'no-rekombinatsionnye protsessy v nanostrukturirovannykh elementakh, Fachbücher von Sergey Bulyarskiy

Das Fachbuch "Tunnel'no-rekombinatsionnye protsessy v nanostrukturirovannykh elementakh" von Sergey Bulyarskiy bietet einen innovativen Ansatz zur Untersuchung der Mechanismen des Ladungstransfers in nanostrukturierten Halbleiterelementen. Es behandelt eine verallgemeinerte Modellierung von Rekombinationsprozessen, einschliesslich spezifischer Fälle wie der Shockley-Read-Rekombination, induzierter Rekombination, Tunnelrekombination sowie sprunghafter und ballistischer Ladungsübertragung. Die vorgestellten Methoden zur Analyse der Strom-Spannungs-Kennlinien von Halbleiterstrukturen ermöglichen die Bestimmung der Parameter von Rekombinationszentren. Das Buch umfasst auch die Validierung der verallgemeinerten Modelle und Methoden der Rekombinationsspektroskopie an verschiedenen Halbleiterstrukturen, darunter Siliziumstrukturen, mit Gold dotierte Materialien, InGaN-Quantenpunkte, CuInS2-Fotodetektoren und Strukturen mit Kohlenstoffnanoröhren. Diese umfassende Untersuchung wird durch die Unterstützung des Ministeriums für Bildung und Wissenschaft der Russischen Föderation im Rahmen eines staatlichen Auftrags zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung untermauert.