BUL 128 STM - HF-Bipolartransistor, NPN, 400 V, 4 A, 70 W, TO-220

Der Baustein wird mit der Hochspannungs-Multi-Epitaxial-Planar-Technologie für hohe Schaltgeschwindigkeiten und Mittelspannungsfähigkeit hergestellt. Er verwendet eine zellulare Emitterstruktur mit planarem Randabschluss, um die Schaltgeschwindigkeit zu erhöhen und gleichzeitig den breiten RBSOA beizubehalten. Der Baustein ist für den Einsatz in Beleuchtungsanwendungen und kostengünstigen Schaltnetzteilen vorgesehen.Eigenschaften• stmicroelectronics bevorzugter Vertriebstyp• NPN-Transistor • hohe Spannungsfestigkeit • geringe Streuung der dynamischen Parameter• minimale Streuung von Los zu Los für zuverlässigen Betrieb• sehr hohe SchaltgeschwindigkeitAnwendungen• elektronische Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen