IRF 540N - MOSFET, N-Ch 100V 33A 0,044R, TO-220AB

Die fortschrittlichen HEXFETÆ Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign der HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur einen extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das für Chipgrößen bis zu HEX-4 geeignet ist. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen Durchlasswiderstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet, da es niedrigen internen Verbindungswiderstand und kann bis zu bis zu 2,0 W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung. Die Durchgangslochversion (IRF540NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• dynamische dv/dt Bewertung• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-geeignet• extrem niedriger Einschaltwiderstand• bleifrei