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IRFD 110 - MOSFET, N-Ch 100V 1A 1,3W, HD-1

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HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das 4-Pin-DIP-Gehäuse ist eine kostengünstige, maschinenbestückbare Gehäuseform, die in mehreren Kombinationen auf standardmäßigen 0,1-Zoll-Stiftmitten gestapelt werden kann. Der doppelte Drain dient als thermische Verbindung zur Montagefläche und ermöglicht eine Verlustleistung von bis zu 1 Watt.Eigenschaften• dynamische dV/dt-Bewertung• repetitive Avalanche-Bewertung• für automatisches Einsetzen• Ende stapelbar• 175°C Betriebstemperatur• einfache Parallelisierung• schnelles Schalten

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