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IRFD 9110 - MOSFET P-Ch, -100V -0,7A 1,2R, HD-1

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HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das 4-Pin-DIP-Gehäuse ist eine kostengünstige, maschineneinsetzbare Gehäuseform, die in mehreren Kombinationen auf standardmäßigen 0,1-Zoll-Pin-Zentren gestapelt werden kann. Der doppelte Drain dient als thermische Verbindung zur Montagefläche und ermöglicht eine Verlustleistung von bis zu 1 Watt.Eigenschaften• Dynamischer dv/dt-Wert• für automatisches Einsetzen• am Ende stapelbar• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• einfache Parallelisierung• einfache Antriebsanforderungen

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