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IRFR1018EPBF - MOSFET N-Ch 60V 56A DS(on) 0,0084R, TO252AA

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IRFR1018EPbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-DiodeAnwendungen• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

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