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IRLR 110 - MOSFET, N-Ch 100V 4,3A 25W, TO-252

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IRLR 110 - MOSFET, N-Ch 100V 4,3A 25W, TO-252

HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oderWellenlöttechniken. Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU) ist fürAnwendungen mit Durchgangslochmontage. Verlustleistungen von bis zu 1,5 Wattsind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich.Eigenschaften• Logik-Level Gate Drive• Oberflächenmontage (IRLR024N)• gerader Anschluss (IRLU024N)• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• Rds(on) spezifiziert bei Vgs=4V & %V

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