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L-1210F 220µ - Chip-Induktivität, 1210F, 220 µH

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L-1210F 220µ - Chip-Induktivität, 1210F, 220 µH

• Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 220 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 25• fL : 0,1 MHz• SRF min: 3,3 MHz• DCR typ.: 7,5 Ohm• I DC : 115 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm

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Hersteller:FASTRON