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MCP 14E9-E/SN - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 2 x invertierend, SO-8

2,10 €

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MCP 14E9-E/SN - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 2 x invertierend, SO-8

3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit EnableAllgemeine BeschreibungDie Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen.Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5 V bis 18 V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. DieDie Pins ENB_A und ENB_B sind active-high und werden intern auf VDD hochgezogen. Die Pins können für den Standardbetrieb frei beweglich bleiben. Die 3,0A-Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren als auch in Durchsteckgehäusen mit einer Temperaturrate von -40°C bis +125°C angeboten. Der niedrige thermische Widerstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung zur Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bausteine sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungswerte hoch einrastungsfest. Sie können nicht beschädigt werden, wenn bis zu 5 V Störspitzen (beider Polaritäten) am Masse-Pin auftreten. Die Bauelemente sind vollständig verriegelungssicher, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM) geschützt.Merkmale• Hoher Spitzenausgangsstrom: 3,0A (typisch)• Unabhängige Freigabefunktion für jeden Treiberausgang• Großer Betriebsbereich der Eingangs-Versorgungsspannung: 4,5V bis 18V• Niedriger Durchschuss-/Querleitungsstrom in Endstufe• Antriebsfähigkeit bei hoher kapazitiver Last:- tR: 14 ns mit 1800 pF Last (typisch)- tF: 17 ns mit 1800 pF Belastung (typisch)• Kurze Verzögerungszeiten:- tD1: 45 ns (typisch)- tD2: 45 ns (typisch)• Niedriger Versorgungsstrom:- Mit Logic '1' Eingang/Freigabe - 1 mA (typisch)- Mit Logik '0' Eingang/Freigabe - 300 µA (typisch)• Latch-up Geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A• Logikeingang widersteht negativem Schwingen, bis zu 5V• Platzsparende Pakete: 8-poliger SOIC, PDIP, 6x5 DFNAnwendungen• Schaltnetzteile• Puls-Transformator-Antrieb• Leitungstreiber• Motor und Magnetantrieb

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