NTE 108 - HF-Bipolartransistor, NPN, 15V, 0,05A, 625mW, TO-92

Beschreibung:Der NTE108 ist ein Silizium-NPN-Transistor in einem TO92-Gehäuse, der für rauscharme Hochfrequenzverstärker, 1-GHz-Lokaloszillatoren, nicht neutralisierte ZF-Verstärker und nicht sättigende Schaltungen mit Anstiegs- und Abfallzeiten von weniger als 2,5 ns entwickelt wurde.Absolute Maximalwerte:• Kollektor-Emitter-Spannung, VCEO...15V• Kollektor-Basis-Spannung, VCBO...30V• Emitter-Basis-Spannung, VEBO...3V• Kontinuierlicher Kollektorstrom, IC...50mA• Gesamtverlustleistung des Geräts (TA = +25°C), PD...625mW - Ableitung über 25°C 12mW/...°C• Sperrschichttemperaturbereich, TJ...-55° bis +150°C• Lagertemperaturbereich, Tstg... -55° bis +150°C• Wärmewiderstand, Sperrschicht-zu-Gehäuse, RthJC...+83.3°C/W• Wärmewiderstand, Sperrschicht-zu-Umgebung (Hinweis 1), RthJA...+200°C/W• Anmerkung 1. RTJA wird gemessen, wenn das Gerät in eine typische Leiterplatte eingelötet ist.