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STP26NM60N - MOSFET N-Ch 600V 20A 0,165R, TO-220

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STP26NM60N - MOSFET N-Ch 600V 20A 0,165R, TO-220

N-Kanal 600 V, 0,135 O typ., 20 A MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs in D²PAK- und TO-220-GehäusenBeschreibungBei diesen Bauelementen handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die unter Verwendung der zweiten Generation der MDmesh™ Technologie entwickelt wurden. Dieser revolutionäre Power-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände und Gate-Ladungen zu erzielen. Er eignet sich daher für die anspruchsvollsten Wandler mit hohem Wirkungsgrad.Merkmale• 100% Avalanche geprüft• Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung• Niedriger Gate-EingangswiderstandApplikationen• Schaltapplikationen

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