MJ 11032 ONS - Darlington-Transistor, NPN, 120V, 50A, 300W, TO-3

Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren für hohe Ströme sind zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Allzweckverstärkern.Eigenschaften• hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 1000 (Min) bei IC = 25 Adc; - hFE = 400 (Min) bei IC = 50 Adc• Kurven bis 100 A (gepulst)• Diodenschutz bis zum Nenn-IC• monolithischer Aufbau mit integriertem Basis-Emitter-Shunt-Widerstand• Sperrschichttemperatur bis +200C• pb-Free-Gehäuse sind verfügbar