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AT45DB021E-MHN - NOR-Flash-Speicher 2Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 70MHz, UDFN-8

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AT45DB021E-MHN - NOR-Flash-Speicher 2Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 70MHz, UDFN-8

Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, UDFN-8, 70Mhz, 1024 Seiten x 264 ByteMerkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (32KB)- Chip-Löschung (2-Mbit/s)• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 200nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch bei 20MHz)- 4,5mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)

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