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IRFD 120 - MOSFET N-Ch 100V 1,3A 0,27R, HVMDIP-4

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IRFD 120 - MOSFET N-Ch 100V 1,3A 0,27R, HVMDIP-4

BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das 4-Pin-DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges maschineneinsteckbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard 0,1'' Stiftmitten gestapelt werden kann. Die doppelte Drainage dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis zu 1 W.FEATURES• Dynamische dV / dt-Bewertung• Wiederholte Avalanche Rated• Zum automatischen Positionierung• Stapelbar beenden• 175 ° C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Einfache Parallelisierung• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95 / EG

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Hersteller:Vishay