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STD10P6F6 - MOSFET P-Ch 60V 10A 0,16R TO252

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STD10P6F6 - MOSFET P-Ch 60V 10A 0,16R TO252

STripFET™ F6 Power MOSFETsFeaturesVery low on-resistanceVery low gate chargeHigh avalanche ruggednessLow gate drive power lossDescriptionThese devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in allpackages.ApplicationsSwitching applications

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