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IRFBG20PBF - MOSFET N-Ch 1000V 1,4A 11R, TO220AB

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IRFBG20, Leistungs-MOSFETBeschreibungLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Materialkategorisierung: Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912

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