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FDS 6680A - MOSFET, N-Ch 30V 12,5A 0,0095R, SO-8

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BeschreibungDieser n-Kanal-MOSFET auf Logikebene wird mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren von Fairchild Semiconductor hergestellt, das speziell darauf zugeschnitten ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente eignen sich gut für Niederspannungs- und batteriebetriebene Anwendungen, bei denen eine geringe Inline-Verlustleistung und schnelles Schalten erforderlich sind.Eigenschaften• 12,5 A, 30 V - RDS(ON) = 9,5 mO @ VGS = 10 V - RDS(ON) = 13 mO bei VGS = 4,5 V• ultra-niedrige Gate-Ladung• Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON) • hohe Leistung und Strombelastbarkeit

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Hersteller:ONSEMI