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FDC6420C ONS - MOSFET, N+P-Ch, 20V 3/2,2A 0,7W, SOT-23-6

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Leistungs-MOSFETPowerTrenchDiese N+P-Kanal-MOSFETs sind mit dem fortschrittlichem PowerTrench-Prozess von onsemi hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr kleinem Platzbedarf zu bieten für Anwendungen, bei denen die größeren und teurere SO-8- und TSSOP-8-Gehäuse unpraktisch sind.MerkmaleNiedrige Gate-LadungSchnelle SchaltgeschwindigkeitHochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON)SUPERSOT-6-Gehäuse: Kleine Grundfläche 72% (kleiner als Standard SO-8); niedriges Profil (1 mm dick)Pb-freiAnwendungenDC-DC-WandlerLastschalterLCD-Anzeige Wechselrichter

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Hersteller:ONSEMI