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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V ... Mehr erfahren

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Produktdetails

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: Arbeitsspannung: 33 V Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V Peak Pulse Power Pppm: 4600 W Peak Pulse Current Ipp: 86 A Peak Forward Voltage: 1,9 V Clamping Voltage @ Ippm: 53,3 V

Informationen

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Marke:TAIWAN SEMICONDUCTOR