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IRFB 3307Z - MOSFET N-Ch 75V 120A 0,0046R, TO-220AB

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HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie StromversorgungHochgeschwindigkeits-SchaltnetzteilHart geschaltete und HochfrequenzschaltungenVorteileVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-RobustheitVollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOAErhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

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