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L-1210F 3,3µ - Chip-Induktivität, 1210F, 3,3 µH

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L-1210F 3,3µ - Chip-Induktivität, 1210F, 3,3 µH

• Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 3,3 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 1 MHz• SRF min: 90 MHz• DCR typ.: 0,55 Ohm• I DC : 425 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm

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Hersteller:FASTRON