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MJE 13005 - HF-Bipolartransistor, NPN, 400V, 4A, 75W, TO-220

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Der Baustein wird in Hochspannungs-Multi-Epitaxie-Planar-Technologie für hohe Schaltgeschwindigkeiten und Mittelspannungsfähigkeit hergestellt. Es verwendet eine zellulare Emitterstruktur mit planarem Kantenabschluss zur Verbesserung der Schaltgeschwindigkeiten unter Beibehaltung des breiten RBSOA.Merkmale• geringe Streuung der dynamischen Parameter• minimale Streuung von Los zu Los für einen zuverlässigen Betrieb• sehr hohe SchaltgeschwindigkeitAnwendungen• elektronische Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen• getaktete Stromversorgungen

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