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MJE 13007 - HF-Bipolartransistor, NPN, 400V, 8A, 80W, TO-220

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Der Baustein wird in Hochspannungs-Multi-Epitaxie-Planar-Technologie für hohe Schaltgeschwindigkeiten und Hochspannungsfähigkeit hergestellt. Es verwendet eine zellulare Emitterstruktur mit planarem Kantenabschluss, um das Schalten zu verbessern.Merkmale• Klassifizierung der Gleichstromverstärkung• Hochspannungsfähigkeit• geringe Streuung der dynamischen Parameter• sehr hohe SchaltgeschwindigkeitAnwendungen• elektronische Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen• getaktete Stromversorgungen

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