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IRF 830 - MOSFET, N-Ch 500V 4,5A 1,5R 74W, TO-220AB

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IRF 830 - MOSFET, N-Ch 500V 4,5A 1,5R 74W, TO-220AB

Diese N-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus werden mit der proprietären planaren DMOS-Technologie von Fairchild hergestellt. Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren, eine überragende Schaltleistung zu bieten und hohen Energieimpulsen im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente eignen sich gut für hocheffiziente Schaltnetzteile, Leistungsfaktorkorrektur und elektronische Lampenvorschaltgeräte auf Halbbrückenbasis.Merkmale• 4,5A, 500V, RDS(on) = 1,5O @VGS = 10 V• niedrige Gate-Ladung (typisch 27 nC)• niedriger Crss (typisch 17 pF)• schnelles Schalten• 100% Avalanche-getestet• verbesserte dv/dt-Fähigkeit

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