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IKD04N60R - IGBT-Transistor, 600 V, 4 A, 75 W, TO-252

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Die RC-Drives IGBT-Technologie wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den sensiblen Markt der Consumer-Antriebe entwickelt. Diese Basistechnologie bietet hervorragende Leistung für Permanentmagnet-Synchronmotoren und bürstenlose Gleichstrommotoren.Zusammenfassung der Merkmale Optimierte Parameter für bis zu 20% geringere Schaltverluste Betriebsbereich von DC bis 30kHz Maximale Sperrschichttemperatur 175°C Kurzschlussfestigkeit von 5µs Sehr enge Parameterverteilung Klassenbeste Leistung bei Strom und Gehäusegröße Sanftes Schaltverhalten, das zu niedrigen EMI-Werten führtVorteile Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis für hart schaltende Anwendungen Hervorragende Temperaturstabilität Sehr gutes EMI-Verhalten Bis zu 60% Platzersparnis auf der Leiterplatte Höhere Zuverlässigkeit durch monolithisch integrierten IGBT & Diode aufgrund geringerer thermischer Zyklen beim SchaltenPotentielle Zielanwendungen Kompressoren für Kühlschränke Pumpen & Antriebe Ventilatoren Haushaltsgeräte Industrielle Antriebe KlimageräteAnwendungen Akku-Werkzeuge

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