IKB06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, D2Pak

600 V, 6 A IGBT Discrete mit antiparalleler Diode im TO263-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3, der mit einer vollwertigen Freilaufdiode in einem TO263 D2Pak-Gehäuse kombiniert ist, führt aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept zu einer erheblichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements. Die Kombination aus IGBT und emittergesteuerter Diode mit weicher Rückstellung minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.Zusammenfassung der Merkmale Niedrigster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste Geringe Schaltverluste Einfache Parallelschaltbarkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat Sehr weiche, schnell erholende antiparallele emittergesteuerte Diode Hohe Widerstandsfähigkeit, temperaturstabiles Verhalten Geringe EMI-Emissionen Niedrige Gate-Ladung Sehr enge ParameterverteilungVorteile Höchste Effizienz - geringe Leitungs- und Schaltverluste Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität beim Design Hohe Zuverlässigkeit der Geräte