FQU 11P06TU - MOSFET, P-Ch, -60V -9,4A 0,15R, I-PAK

FQD11P06 / FQU11P06Diese P-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus werden mit Fairchilds proprietärer DMOS-Technologie mit planaren Streifen hergestellt. Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und einem hohen Energieimpuls im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend für Niederspannungsanwendungen wie z.B. im Automobilbereich, für DC/DC-Wandler und für hocheffiziente Schaltvorgänge für das Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten.Eigenschaften• -9,4A, -60V, RDS(on) = 0,185O @VGS = -10 V• geringe Gate-Ladung (typisch 13 nC)• niedriger Crss (typisch 45 pF)• schnelles Schalten• 100% Avalanche-getestet• verbesserte dv/dt-Fähigkeit• RoHS-konform