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IRF 630 - MOSFET, N-Ch 200V 9A 0,25R 78W, TO-220AB

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Der N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus MOSFET ist für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Solenoid-, Motor- und Magnetspulen, Motortreiber, Relaistreiber.Eigenschaften• RDS(ON) = 0,4O@ VGS = 10 V • extrem niedrige Gate-Ladung (typisch 19 nC) • niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (CRSS = typisch 80 pF) • schnelle Schaltfähigkeit• Avalanche Energie spezifiziert • verbesserte dv/dt-Fähigkeit

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